FMMT619TA和PBSS4350T,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FMMT619TA PBSS4350T,215 FSB619

描述 FMMT619TA 编带NXP  PBSS4350T,215  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 300 mW, 3 A, 300 hFENPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 165 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 2.00 A - 2.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 300 mW 0.5 W

增益频宽积 165 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @1A, 2V 300 @1A, 2V 200 @1A, 2V

额定功率(Max) 625 mW 540 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 625 mW - 500 mW

针脚数 - 3 -

最大电流放大倍数(hFE) - 300 @100mA, 2V -

直流电流增益(hFE) - 300 -

长度 3 mm - 2.92 mm

宽度 1.4 mm - 1.4 mm

高度 1.1 mm - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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