2N7002和TP0620N3-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002 TP0620N3-G U1898

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/RTO-92P-CH 200V 0.175AN沟道开关 N-Channel Switch

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microchip (微芯) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 分立器件MOS管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-92-3 TO-226-3

额定功率 - 1 W -

极性 - P-CH N-Channel

耗散功率 - 1 W 625 mW

漏源极电压(Vds) - 200 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) - 0.175A 50.0 mA

输入电容(Ciss) - 150pF @25V(Vds) 16pF @20V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1W (Ta) 625 mW

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 30.0 mA

击穿电压 - - -40.0 V

漏源极电阻 - - 50 Ω

击穿电压 - - 40 V

额定功率(Max) - - 625 mW

封装 - TO-92-3 TO-226-3

高度 - - 5.33 mm

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

HTS代码 85412100959 - -

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