对比图
型号 DS1265AB-100+ DS1265AB-70IND+ BQ4016YMC-70
描述 IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) TI (德州仪器)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 DIP-36 DIP-36 DIP-36
引脚数 - - 36
存取时间 100 ns 70 ns 70.0 ns
工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)
供电电流 - - 115 mA
时钟频率 - - 70.0 GHz
内存容量 - - 8000000 B
存取时间(Max) - - 70 ns
长度 53.34 mm - -
宽度 18.8 mm - -
高度 10.29 mm - -
封装 DIP-36 DIP-36 DIP-36
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR