对比图
型号 NSBA123JDP6T5G PEMB20,115 NSBA143TDXV6T5G
描述 双数字晶体管（ BRT ） Dual Digital Transistors (BRT)SOT-666 PNP 50V 100mA双PNP偏置电阻晶体管R1 = 4.7千欧姆， R2 = ？欧姆？ Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = kOhm
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-963 SOT-666-6 SOT-563-6
额定电压(DC) - - -50.0 V
额定电流 - - -100 mA
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.408 W 300 mW 357 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 30 @20mA, 5V 160
最大电流放大倍数(hFE) - - 160
额定功率(Max) 408 mW 300 mW 500 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 408 mW 300 mW 500 mW
长度 - - 1.6 mm
宽度 - - 1.2 mm
高度 - 0.6 mm 0.55 mm
封装 SOT-963 SOT-666-6 SOT-563-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99