对比图
型号 IRFS3607TRLPBF IRFU3607PBF IRFR3607TRPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，InfineonINFINEON IRFU3607PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 75 V, 7.34 mohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-252-3
额定功率 140 W 140 W 140 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.00734 Ω 0.00734 Ω 0.00734 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 140 W 140 W 140 W
阈值电压 4 V 4 V 2 V
输入电容 3070 pF - 3070 pF
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80A
上升时间 110 ns 110 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 3070pF @50V(Vds) 3070pF @50V(Vds) 3070pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 140 W 140 W 140 W
下降时间 96 ns 96 ns 96 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
长度 10.67 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 9.65 mm 2.39 mm 7.49 mm
高度 4.83 mm 6.22 mm 2.39 mm
封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17