对比图
型号 IRF540NSPBF IRF540NSTRLPBF IRF530NSPBF
描述 INFINEON IRF540NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IRF540NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IRF530NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 3.8 W 3.8 W 3.8 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.044 Ω 0.044 Ω 0.09 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 140 W 130 W 79 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 33A 33A 17A
上升时间 35 ns 35 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds) 920pF @25V(Vds)
下降时间 35 ns 35 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130W (Tc) 130W (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc)
通道数 - 1 -
输入电容 1960 pF 1960 pF -
漏源击穿电压 100 V 100 V -
额定功率(Max) 130 W 130 W -
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 9.25 mm 9.65 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17