IR21363JPBF和IR21363S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR21363JPBF IR21363S IR21363JTRPBF

描述 INFINEON  IR21363JPBF  芯片, MOSFET驱动器 3相 高边&低边MOSFET DRVR 600V 0.35A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W门驱动器 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

封装 PLCC-44 SOIC PLCC-44

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 32 - 32

封装 PLCC-44 SOIC PLCC-44

长度 16.66 mm - 16.66 mm

宽度 16.66 mm - 16.66 mm

高度 - - 3.69 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

上升/下降时间 125ns, 50ns - 125ns, 50ns

输出接口数 6 - 6

输出电流 200 mA - 350 mA

耗散功率 2000 mW - 2 W

上升时间 - - 190 ns

下降时间 - - 75 ns

下降时间(Max) 75 ns - 75 ns

上升时间(Max) 190 ns - 190 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 2000 mW

电源电压 12V ~ 20V - 12V ~ 20V

电源电压(DC) 12.0V (min) - -

输出电压 620 V - -

针脚数 44 - -

电源电压(Max) 20 V - -

电源电压(Min) 12 V - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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