BC859C和BC859C,235

对比图

型号 BC859C BC859C,235 BC859CMTF

描述 NXP  BC859C  单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 250 mW, 100 mA, 420 hFETO-236AB PNP 30V 0.1APNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 - -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 250 mW 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V 30 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 250 mW 310 mW

耗散功率(Max) - 250 mW 310 mW

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -100 mA

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 420 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99