FDS6689S和FDS8672S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6689S FDS8672S

描述 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8672S  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 16.0 A -

漏源极电阻 5.40 mΩ 0.0038 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W

输入电容 3.29 nF -

栅电荷 56.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 18A

上升时间 12.0 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 3290pF @15V(Vds) 2670pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

针脚数 - 8

阈值电压 - 2.1 V

下降时间 - 3 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8

高度 - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 -

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