BCR198S和BCR198W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR198S BCR198W MUN2137T1G

描述 BCR198S PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -70mA HEF=70 R1=R2=47KΩ 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WR 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路BCR198W 带阻尼PNP三极管 -50V -70mA 70 0.25W/250mW SOT-323/SC-70 标记WR 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SOT-363 SOT-323 SC-59

引脚数 - - 3

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定电压(DC) - - -50.0 V

额定电流 - - -100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

耗散功率 - - 338 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 338 mW

额定功率 - 0.25 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 70 -

封装 SOT-363 SOT-323 SC-59

长度 - 2.00 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.90 mm -

产品生命周期 End of Life End of Life Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

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