KSH50TF和MJD50

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH50TF MJD50 MJD50T4G

描述 ON Semiconductor KSH50TF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 DPAK (TO-252)封装高电压功率晶体管 High Voltage Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJD50T4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 400 V 400 V

额定电流 - 1.00 A 1.00 A

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 - 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 150 -

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

针脚数 3 - 3

耗散功率 15 W - 15 W

直流电流增益(hFE) 10 - 30

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1560 mW - 1560 mW

频率 - - 10 MHz

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.6 mm - 6.73 mm

宽度 6.1 mm - 6.22 mm

高度 2.3 mm - 2.38 mm

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99

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