对比图
型号 LT1013DDR MC33172DT LT1013IS8#PBF
描述 TEXAS INSTRUMENTS LT1013DDR 芯片, 精密运算放大器, 2路STMICROELECTRONICS MC33172DT 运算放大器, 双路, 2.1 MHz, 2个放大器, 2 V/µs, ± 2V 至 ± 22V, SOIC, 8 引脚LINEAR TECHNOLOGY LT1013IS8#PBF 运算放大器, 双路, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Linear Technology (凌力尔特)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
供电电流 350 µA 220 µA 350 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 -
针脚数 8 8 8
共模抑制比 97 dB 80 dB -
输入补偿漂移 500 nV/K - -
带宽 1 MHz 2.1 MHz 10 Hz
转换速率 400 mV/μs 2.00 V/μs 400 mV/μs
增益频宽积 1 MHz 2.1 MHz -
输入补偿电压 200 µV 1 mV 200 µV
输入偏置电流 15 nA 20 nA 15 nA
工作温度(Max) 70 ℃ 105 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 1 MHz 2.1 MHz -
共模抑制比(Min) 97 dB 80 dB 97 dB
电源电压 5V ~ 30V 4V ~ 40V -
电源电压(Max) 44 V 44 V -
电源电压(Min) 4 V 4 V -
电源电压(DC) - 44.0 V -
工作电压 - 2V ~ 22V -
输出电流 - 27 mA -
长度 4.9 mm - 5 mm
宽度 3.91 mm 4 mm 3.988 mm
高度 1.58 mm 1.65 mm 1.498 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
ECCN代码 - EAR99 -