BC560B和MPSW63G

对比图

型号 BC560B MPSW63G BC109C

描述 Transistor PNP BC560/BC560B CONTINENTAL DEVICE RoHS Ampere=1V=45 TO92一瓦达林顿晶体管 One Watt Darlington TransistorsNPN通用晶体管 NPN general purpose transistors

数据手册 ---

制造商 Continental Device ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-226-3 -

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -500 mA -

极性 - PNP -

耗散功率 - 1000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 10000 @100mA, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 125MHz (Min) -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

高度 - 7.87 mm -

封装 - TO-226-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -