BCR189和DTC144TUAT106

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR189 DTC144TUAT106 PDTB114ET

描述 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohmPNP电阻配备晶体管 PNP resistor-equipped transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SC-70-3 TO-236

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 100 mA -

额定功率 - 0.2 W -

极性 PNP NPN PNP

耗散功率 - 0.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @1mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) - 200 mW -

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.8 mm -

封装 SOT-23 SC-70-3 TO-236

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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