对比图
型号 APT20M34BLLG STW75NF20 IXFH58N20
描述 TO-247 N-CH 200V 74ASTMICROELECTRONICS STW75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFH58N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 200 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 74.0 A - 58.0 A
额定功率 - - 300 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.028 Ω 0.04 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 403 W 190 W 300 W
阈值电压 - 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 74.0 A 47.0 A, 75.0 A 58.0 A
上升时间 - 33 ns 15 ns
输入电容(Ciss) - 3260pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 190 W 300 W
下降时间 - 29 ns 16 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -50 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 190W (Tc) 300W (Tc)
输入电容 3.66 nF - -
栅电荷 60.0 nC - -
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 200 V -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 20.15 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 - -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99