SI4922BDY-T1-E3和ZXMN3G32DN8TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4922BDY-T1-E3 ZXMN3G32DN8TA ZXMN3F31DN8TA

描述 MOSFET N-CH DUAL 30V 8A 8-SOICZXMN3G32 系列 30 V 0.028 Ohm 双 N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A Automotive 8Pin SO T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 - - 2

漏源极电阻 0.024 Ω - 24 mΩ

极性 - Dual N-Channel N-CH

耗散功率 3.1 W 2.1 W 2.1 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - 30 V

连续漏极电流(Ids) - 7.10 A 7.3A

上升时间 - 3.1 ns 3.3 ns

输入电容(Ciss) 2070pF @15V(Vds) 472pF @15V(Vds) 608pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 1.25 W 1.8 W

下降时间 - 9.7 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 2100 mW 2100 mW

阈值电压 1.8 V - -

输入电容 2070pF @15V - -

热阻 50℃/W (RθJA) - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 1.55 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -

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