IPI045N10N3GXKSA1和IPI04CN10NG

对比图

型号 IPI045N10N3GXKSA1 IPI04CN10NG IPI045N10N3G

描述 N沟道 100V 100AOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-Transistor的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 3 -

封装 TO-262-3 TO-262 TO-262-3

安装方式 - Through Hole Through Hole

额定功率 214 W - -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 214 W 300 W -

漏源极电压(Vds) 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 100A - -

上升时间 59 ns - 59 ns

输入电容(Ciss) 6320pF @50V(Vds) - -

下降时间 14 ns - 14 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 214000 mW - -

长度 10.2 mm - -

宽度 4.5 mm - -

高度 9.45 mm - -

封装 TO-262-3 TO-262 TO-262-3

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃