对比图
型号 IRFB31N20DPBF IRFZ14PBF STP30NF20
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.082Ω; ID 31A; TO-220AB; PD 200W; VGS +/-30V功率MOSFET Power MOSFETN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V 60.0 V 200 V
额定电流 31.0 A 10.0 A 30.0 A
漏源极电阻 0.082 Ω 0.2 Ω 75.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 43 W 125 W
产品系列 IRFB31N20D - -
输入电容 2370pF @25V - 1.60 nF
漏源极电压(Vds) 200 V 60 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 60.0 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 10.0 A 30.0 A
上升时间 38.0 ns 50 ns 15.7 ns
热阻 0.75℃/W (RθJC) - -
输入电容(Ciss) 2370pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 1597pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W 43 W 125 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 2 V -
下降时间 - 19 ns 8.8 ns
耗散功率(Max) - 43 W 125W (Tc)
通道数 - - 1
栅电荷 - - 38.0 nC
长度 10.54 mm 10.41 mm 10.4 mm
高度 8.77 mm 9.01 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.7 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
最小包装 - 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -