对比图
型号 FM24CL64B-GA FM25CL64B-G FM24CL64B-G
描述 F-RAM，Cypress Semiconductor### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。CYPRESS SEMICONDUCTOR FM25CL64B-G 存储芯片, FRAM, 64K, SPI, 8SOICF-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 -
时钟频率 1 MHz 20 MHz 1 MHz
存取时间 550 ns - 550 ns
存取时间(Max) 550 ns 20 ns 550 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.65V 2.7V ~ 3.65V
电源电压(Max) 3.6 V 3.65 V -
电源电压(Min) 3 V 2.7 V -
电源电压(DC) - 2.70V (min) -
供电电流 - 3 mA 0.3 mA
耗散功率 - 1 W 1 W
内存容量 - 8000 B -
长度 4.98 mm 4.98 mm 4.9 mm
宽度 3.987 mm 3.987 mm 3.9 mm
高度 1.478 mm 1.478 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Each Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99