对比图
型号 FQB6N90TM_AM002 STB6NK90ZT4
描述 Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS STB6NK90ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 900 V 900 V
额定电流 5.80 A 5.80 A
通道数 1 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 1.9 Ω 1.56 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 3.13 W 140 W
阈值电压 - 3.75 V
输入电容 - 1350 pF
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V
漏源击穿电压 900 V 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.80 A 5.80 A
上升时间 80 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1880pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 140 W
下降时间 55 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 140W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm
宽度 9.65 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99