TLC271BCDR和TLC271CDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC271BCDR TLC271CDR TLC272ID

描述 LinCMOSE可编程低功耗运算放大器 LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLC271CDR  单运算放大器LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 16.0 V

输出电流 ≤30 mA - ≤30 mA

供电电流 950 µA 950 µA 1.4 mA

电路数 1 1 2

通道数 1 1 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 0.725 W 725 mW 0.725 W

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K 1.80 µV/K

带宽 1.7 MHz 1.7 MHz 2.6 MHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 2 mV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.06 nA 0.7 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.7 MHz 2.2 MHz 2.2 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 16V 3V ~ 16V 4V ~ 16V

电源电压(Max) 16 V - 16 V

电源电压(Min) 3 V - -

工作电压 - 3V ~ 16V -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 2015/06/15

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