MJD200G和MJD200T5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD200G MJD200T5G MJD200

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD200G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 65 hFETRANS NPN 25V 5A DPAK互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 - -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W 1.4 W

频率 65 MHz - -

额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V

额定电流 5 A - 5.00 A

针脚数 3 - -

极性 NPN - NPN

耗散功率 1.4 W - -

增益频宽积 65 MHz - -

热阻 10℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 5A - 5A

直流电流增益(hFE) 65 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1400 mW - -

最大电流放大倍数(hFE) - - 180

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.38 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tube - Tube

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2018/01/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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