BCP56-16T3G和SBCP56-16T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56-16T3G SBCP56-16T1G BCP5616E6327HTSA1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCP56-16T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管SOT-223 NPN 80V 1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 130 MHz 130 MHz -

针脚数 4 4 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.5 W 1.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 2 W

直流电流增益(hFE) 25 25 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1.5 W 1.5 W 2 W

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 1.00 A - -

长度 6.5 mm 6.7 mm -

宽度 3.5 mm 3.7 mm -

高度 1.63 mm 1.65 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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