W631GG8KB-12和W631GG8KB-15

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W631GG8KB-12 W631GG8KB-15 W631GG8KB15I

描述 DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-78DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-78IC SDRAM 1GBIT 667MHz 78BGA

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 78 78 78

封装 TFBGA-78 TFBGA-78 TFBGA-78

供电电流 250 mA - -

位数 8 8 8

存取时间(Max) 0.225 ns 0.255 ns 0.255 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V

封装 TFBGA-78 TFBGA-78 TFBGA-78

工作温度 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -

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