对比图
型号 IXFN26N90 STE26NA90 IXFE39N90
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN26N90 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 VN - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP快速功率MOSFET N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFETISOPLUS N-CH 900V 34A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 SOT-227-4 ISOTOP ISOPLUS-227-4
额定电压(DC) 900 V 900 V -
额定电流 26.0 A 26.0 A -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 300 mΩ - 220 mΩ
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 600 W 450W (Tc) 580 W
阈值电压 5 V - -
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 26.0 A 34A
上升时间 35 ns 52.0 ns 68 ns
隔离电压 2.50 kV - -
输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds) 13400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 600 W - -
下降时间 24 ns - 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 40 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 450W (Tc) 580W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 900 V
封装 SOT-227-4 ISOTOP ISOPLUS-227-4
长度 - - 38.23 mm
宽度 - - 25.42 mm
高度 - - 9.65 mm
重量 44.0 g - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -