对比图
型号 FDS9953A NDS9953A SI4943BDY-T1-E3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9953A 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.9 A, -30 V, 0.095 ohm, -10 V, -1.8 V双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -
额定电流 -2.90 A -2.90 A -
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.095 Ω 0.2 Ω 19 mΩ
极性 P-Channel P-Channel Dual P-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
输入电容 185 pF - -
栅电荷 2.50 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 2.90 mA 2.90 A -8.40 A
上升时间 13 ns 21 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 185pF @15V(Vds) 350pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 900 mW 900 mW 1.1 W
下降时间 2 ns 8 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW - 2000 mW
反向恢复时间 - - 55 ns
正向电压(Max) - - 1.2 V
工作结温 - - -55℃ ~ 150℃
漏源击穿电压 - -30.0 V -
长度 5 mm 4.9 mm -
宽度 4 mm 3.9 mm -
高度 1.5 mm 1.75 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active End of Life Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -