对比图
型号 IRLML6302GTRPBF IRLML6302PBF IRLML6302TRPBF
描述 HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLML6302PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V-20V,-0.78A,P沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
额定电压(DC) - - -20.0 V
额定电流 - - -620 mA
漏源极电阻 0.6 Ω 0.6 Ω 0.9 Ω
极性 P-Channel P-CH P-Channel
耗散功率 540 mW 400 mW 0.54 W
产品系列 - - IRLML6302
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 0.78A 0.78A -780 mA
热阻 - - 230℃/W (RθJC)
输入电容(Ciss) 97pF @15V(Vds) 97pF @15V(Vds) 97pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 540 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - 0.54 W -
针脚数 3 3 -
耗散功率(Max) 540mW (Ta) 540 mW -
上升时间 18 ns - -
下降时间 22 ns - -
长度 3.04 mm 3.05 mm 3.04 mm
高度 1.02 mm 1.01 mm 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
宽度 1.4 mm 1.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -