UC2714D和UC3714D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UC2714D UC3714D UC2714DG4

描述 MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments辅助开关FET驱动器 Complementary Switch FET Drivers

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 20.0V (max) 20.0V (max) -

上升/下降时间 30ns, 25ns 30ns, 25ns 30ns, 25ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 1.00 A 1.00 A -

下降时间(Max) 60 ns 60 ns 60 ns

上升时间(Max) 60 ns 60 ns 60 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 7V ~ 20V 7V ~ 20V 7V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V 20 V

电源电压(Min) - 7 V 7 V

频率 1 MHz - 1 MHz

上升时间 60 ns - 60 ns

下降时间 60 ns - 60 ns

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.5 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

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