BCR198W和MUN5137DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR198W MUN5137DW1T1G BCR198S

描述 BCR198W 带阻尼PNP三极管 -50V -70mA 70 0.25W/250mW SOT-323/SC-70 标记WR 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsBCR198S PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -70mA HEF=70 R1=R2=47KΩ 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WR 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323 SC-88-6 SOT-363

引脚数 - 6 -

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定功率 0.25 W - -

最小电流放大倍数(hFE) 70 80 @5mA, 10V -

额定电压(DC) - -50.0 V -

额定电流 - -100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

耗散功率 - 250 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 385 mW -

封装 SOT-323 SC-88-6 SOT-363

长度 2.00 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 0.90 mm 0.9 mm -

产品生命周期 End of Life Active End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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