DTC143ZET1和DTC143ZET1G

对比图

型号 DTC143ZET1 DTC143ZET1G DTC143ZE

描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR  DTC143ZET1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 (Ratio), SOT-416 新数字晶体管（ BRT ） R1 = 4.7千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-416 SC-75-3 SC-75-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 0.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 0.1A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V 80

额定功率 - 200 mW -

无卤素状态 - Halogen Free -

最大电流放大倍数(hFE) - 80 -

额定功率(Max) - 200 mW -

电源电压 - 50 V -

高度 0.75 mm 0.8 mm -

封装 SOT-416 SC-75-3 SC-75-3

长度 - 1.65 mm -

宽度 - 0.9 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

最小包装 - - 3000

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -