对比图
型号 STD18N55M5 STD5NK40ZT4 SPP04N80C3
描述 STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STD5NK40ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 400 V, 1.47 ohm, 10 V, 3.75 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 400 V 800 V
额定电流 - 3.00 A 4.00 A
额定功率 - 45 W 63 W
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.18 Ω 1.47 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 90 W 45 W 63 W
阈值电压 4 V 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 550 V 400 V 800 V
漏源击穿电压 550 V 400 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 16A 3.00 A 4.00 A
上升时间 9.5 ns 6 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1260pF @100V(Vds) 305pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 45 W 63 W
下降时间 13 ns 11 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 45W (Tc) 63W (Tc)
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 6.6 mm 6.6 mm 10 mm
宽度 6.2 mm 6.2 mm 4.4 mm
高度 2.4 mm 2.4 mm 15.65 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -