JDP2S04E和BAP50-02,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JDP2S04E BAP50-02,115 BAP50-02T/R

描述 JDP2S04E PIN二极管 50V 50mA SOD-523/ESC/0603 marking/标记 TG 射频衰减器NXP  BAP50-02,115  射频二极管, PIN型, 0.55pF, 50V, SOD-523DIODE SILICON, PIN DIODE, PLASTIC, SC-79, 2Pin, PIN Diode

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 RF二极管二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

引脚数 - 2 -

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 50.0 mA

电容 - 0.35 pF 550 fF

输出电流 - - ≤50.0 mA

电阻 - - 40.0 Ω

正向电流(Max) - 50 mA 50 mA

正向电压 - 1.1 V -

耗散功率 - 0.715 W -

正向电流 - 50 mA -

击穿电压 - 50 V -

正向电压(Max) - 1.1 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 715 mW -

额定电压 - 50 V -

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

长度 - 1.25 mm -

宽度 - 0.85 mm -

高度 - 0.65 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

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