对比图
型号 STW10NK60Z STW20NM60 SPP04N80C3
描述 STMICROELECTRONICS STW10NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STW20NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 650 V 800 V
额定电流 10.0 A 20.0 A 4.00 A
额定功率 - - 63 W
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.65 Ω 0.25 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 156 W 192 W 63 W
阈值电压 3.75 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 800 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 20.0 A 4.00 A
上升时间 20 ns 20 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1370pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 156 W 192 W 63 W
下降时间 30 ns 11 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 156000 mW 192W (Tc) 63W (Tc)
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
长度 15.75 mm - 10 mm
宽度 5.15 mm - 4.4 mm
高度 20.15 mm - 15.65 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17