对比图
型号 FDD24AN06LA0 FDD24AN06LA0-F085 FDD24AN06LA0_F085
描述 N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFETPower Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 60V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-252-3 D-PAK TO-252-3
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-252-3 D-PAK TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 75W (Tc) - 75 W
漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 36.0 A - 7.1A
输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) - 1850pF @25V(Vds)
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) - 75W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 36.0 A - -
漏源极电阻 91.0 mΩ - -
输入电容 1.85 nF - -
栅电荷 16.0 nC - -
漏源击穿电压 60.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
上升时间 118 ns - -
额定功率(Max) 75 W - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - -