对比图
型号 STI19NM65N STW19NM65N SPW15N60C3
描述 N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFETSTW19NM65N系列 N沟道 650 V 0.27 Ohm MDmesh 功率MOSFET - TO-247-3INFINEON SPW15N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 150W (Tc) 150W (Tc) 156 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 15.5A 15.5A 15.0 A
输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 1900pF @50V(Vds) 1660pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 156W (Tc)
额定电压(DC) - - 650 V
额定电流 - - 15.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.25 Ω
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - - 2.40 nF
栅电荷 - - 114 nC
漏源击穿电压 - - 600 V
上升时间 - - 5 ns
额定功率(Max) - 150 W 156 W
下降时间 - - 5 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - - 16.13 mm
宽度 - - 5.21 mm
高度 - - 21.1 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17