对比图
型号 STB40NF10LT4 STP120NF10 IRF540NSTRRPBF
描述 STMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 VSTMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 44Milliohms; ID 33A; D2Pak; PD 130W; VGS +/-20
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 40.0 A 120 A 33.0 A
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.028 Ω 0.009 Ω 44 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 312 W 130 W
阈值电压 1.7 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 40.0 A 110 A 6.50 A
上升时间 82 ns 90 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 2300pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 312 W 130 W
下降时间 24 ns 68 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 312000 mW -
通道数 - 1 -
产品系列 - - IRF540NS
输入电容 - - 1960pF @25V
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 9.35 mm 4.6 mm -
高度 4.6 mm 9.15 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -