TLV2442QDR和TLV2442QPW

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2442QDR TLV2442QPW TLV2442AQDRQ1

描述 高级LinCMOS轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 TSSOP-8 SOIC-8

输出电流 - ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 750 µA 750 µA 750 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - 525 mW 725 mW

共模抑制比 - 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 1.75 MHz 1.75 MHz 1.75 MHz

转换速率 1.40 V/μs 1.40 V/μs 1.40 V/μs

增益频宽积 1.81 MHz 1.81 MHz 1.81 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.81 MHz 1.81 MHz 1.81 MHz

耗散功率(Max) - 525 mW 725 mW

共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB

电源电压 - - 2.7V ~ 10V

电源电压(Max) - - 10 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

长度 - 3 mm 4.9 mm

宽度 - 4.4 mm 3.91 mm

高度 - 1.05 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 TSSOP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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