对比图
型号 DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-7 SI1028X-T1-GE3
描述 Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6Pin SOT-363 T/R单 P-沟道 20 V 1000 mOhm 2.1 nC 0.6 mW 硅 表面贴装 Mosfet - SOT-363MOSFET Transistor, Dual N Channel, 480mA, 30V, 0.54Ω, 10V, 1V
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-363-6 SC-70-6 SC-89-6
极性 P-CH P-CH Dual N-Channel
耗散功率 0.6 W 0.6 W 220 mW
输入电容 - 184 pF -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 0.9A 0.9A -
上升时间 88 ns 88 ns -
输入电容(Ciss) 184pF @10V(Vds) 184pF @10V(Vds) 16pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 450 mW 450 mW 220 mW
下降时间 45 ns 45 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600 mW 600 mW -
漏源极电阻 - - 0.54 Ω
阈值电压 - - 1 V
通道数 2 - -
长度 - 2.2 mm -
封装 SOT-363-6 SC-70-6 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/06/16