对比图
型号 STB28N65M2 STP28N65M2 TK20E60U
描述 N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTOSHIBA TK20E60U 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-220
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.15 Ω 0.15 Ω 0.19 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 170 W 170 W 190 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 20A - 20A
上升时间 10 ns 10 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 1440pF @100V(Vds) 1440pF @100V(Vds) -
下降时间 8.8 ns 8.8 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 170W (Tc) 170W (Tc) -
输入电容 - 1440 pF -
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 9.35 mm 4.6 mm -
高度 4.6 mm 15.75 mm -
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
香港进出口证 - - NLR