对比图
型号 IPB80N06S2L07ATMA1 IPB80N06S2L07ATMA3
描述 D2PAK N-CH 55V 80AInfineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S2L07ATMA3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3-2 TO-263-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 210W (Tc) 210 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A
输入电容(Ciss) 3160pF @25V(Vds) 3160pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 210W (Tc) 210W (Tc)
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0053 Ω
阈值电压 - 1.6 V
上升时间 - 35 ns
下降时间 - 31 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-263-3-2 TO-263-3
长度 - 10.31 mm
宽度 - 9.45 mm
高度 - 4.57 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅