BD136和BD136G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD136 BD136G BD1366S

描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorON SEMICONDUCTOR  BD136G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 1.25 W, -1.5 A, 25 hFE 新Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -

额定电流 -1.50 A -1.50 A -

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 1.25 W 1.25 W -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

针脚数 - 3 -

热阻 - 10℃/W (RθJC) -

直流电流增益(hFE) - 25 -

耗散功率(Max) - 1250 mW -

长度 7.74 mm 7.8 mm -

宽度 2.66 mm 2.66 mm -

高度 11.04 mm 11.04 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk -

最小包装 500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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