对比图
型号 IRF1018EPBF IRFB3806PBF STP60NF06
描述 INFINEON IRF1018EPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 79 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFB3806PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 20 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 110 W 71 W -
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0071 Ω 0.0126 Ω 0.016 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 110 W 71 W 110 W
阈值电压 4 V 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 79A 43A 60.0 A
上升时间 35 ns 40 ns 108 ns
输入电容(Ciss) 2290pF @50V(Vds) 1150pF @50V(Vds) 1660pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 71 W 110 W
下降时间 46 ns 47 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 71W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 60.0 A
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.67 mm 10.66 mm 10.4 mm
宽度 4.83 mm 4.82 mm 4.6 mm
高度 9.02 mm 9.02 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99