对比图
型号 IRLR8103V IRLR8103VPBF IRLR8103VTRPBF
描述 N沟道 30V 91AINFINEON IRLR8103VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 91 A, 30 V, 0.0069 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 30V 91A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 89.0 A - -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 115 W 115 W 115 W
产品系列 IRLR8103V - -
漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 91.0 A 91A 91A
上升时间 9 ns 9 ns 9 ns
下降时间 18 ns 18 ns 18 ns
额定功率 - 89 W 89 W
输入电容(Ciss) - 2672pF @16V(Vds) 2672pF @16V(Vds)
额定功率(Max) - - 115 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 115W (Tc) 115W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0069 Ω -
阈值电压 - 3 V -
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -