对比图
型号 FDC6321C SI3588DV-T1-E3 FDC6333C
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6321C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 460 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mVTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6Pin TSOP T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6333C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
漏源极电阻 0.33 Ω 0.08 Ω 0.095 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 900 mW 830 mW 960 mW
阈值电压 800 mV 450 mV 1.8 V
漏源极电压(Vds) 25 V 20 V 30 V
漏源击穿电压 ±25.0 V 20.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V -
连续漏极电流(Ids) 680 mA, 460 mA 3.00 A 2.50 A, 2.00 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电流 680 mA - 2.50 A
通道数 - - 2
针脚数 6 - 6
输入电容 63.0 pF - 185 pF
栅电荷 1.10 nC - 4.10 nC
上升时间 9.00 ns - 13.0 ns
输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) - 282pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 700 mW - 700 mW
耗散功率(Max) 0.9 W - 0.96 W
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
长度 3 mm - 3 mm
宽度 1.7 mm - 1.7 mm
高度 1 mm - 1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99