对比图
型号 IPD60R1K5CEATMA1 IPD60R1K5CEAUMA1
描述 DPAK N-CH 800V 3.1A晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 28 W -
极性 N-CH N-CH
耗散功率 49 W 49 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 3.1A 5A
上升时间 7 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 200pF @100V(Vds) 200pF @100V(Vds)
下降时间 20 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 28W (Tc) 49W (Tc)
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 1.26 Ω
阈值电压 - 3 V
长度 6.5 mm -
宽度 6.22 mm -
高度 2.3 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free