APT17N80BC3和APT17N80BC3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT17N80BC3 APT17N80BC3G

描述 TO-247 N-CH 800V 17AMOSFET N-CH 800V 17A TO-247

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-247 TO-247-3

额定电压(DC) - 800 V

额定电流 - 17.0 A

耗散功率 - 208W (Tc)

输入电容 - 2.25 nF

栅电荷 - 90.0 nC

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 17A 17.0 A

输入电容(Ciss) - 2250pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 208W (Tc)

极性 N-CH -

封装 TO-247 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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