对比图
型号 IXFN80N50 IXFN80N50Q3 STE53NC50
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN80N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备STMICROELECTRONICS STE53NC50 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
漏源极电阻 0.055 Ω 0.065 Ω 0.08 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 780 W 780 W 460 W
阈值电压 4.5 V 6.5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 63A 53.0 A
输入电容(Ciss) 9890pF @25V(Vds) 10000pF @25V(Vds) 11200pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 700W (Tc) 780W (Tc) 460W (Tc)
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 80.0 A - 53.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 4 - 4
漏源击穿电压 500 V - 500 V
上升时间 70 ns - 70 ns
额定功率(Max) 780 W - 460 W
下降时间 27 ns - 38 ns
工作结温(Max) 150 ℃ - -
额定功率 - - 460 W
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
隔离电压 - - 2.50 kV
长度 38.23 mm 38.23 mm 38.2 mm
宽度 25.42 mm 25.07 mm 25.5 mm
高度 9.6 mm 9.6 mm 9.1 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
重量 0.000036 kg - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2016/06/20 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99