BCP56-16T和BCP56-16,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56-16T BCP56-16,115

描述 NXP BCP56-16T Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80V, 180MHz, 650mW, 1A, 100 hFE NewNXP  BCP56-16,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFE

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 4 4

封装 SOT-223 TO-261-4

频率 - 180 MHz

针脚数 - 4

极性 NPN NPN

耗散功率 650 mW 650 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V

集电极最大允许电流 - 1A

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) - 960 mW

直流电流增益(hFE) 100 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 0.96 W

长度 - 6.7 mm

宽度 - 3.7 mm

高度 - 1.7 mm

封装 SOT-223 TO-261-4

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台