对比图
描述 NXP BCP56-16T Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80V, 180MHz, 650mW, 1A, 100 hFE NewNXP BCP56-16,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFE
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 4 4
封装 SOT-223 TO-261-4
频率 - 180 MHz
针脚数 - 4
极性 NPN NPN
耗散功率 650 mW 650 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V
集电极最大允许电流 - 1A
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 2V
额定功率(Max) - 960 mW
直流电流增益(hFE) 100 100
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 0.96 W
长度 - 6.7 mm
宽度 - 3.7 mm
高度 - 1.7 mm
封装 SOT-223 TO-261-4
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17