SPD07N20和SPD07N20G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPD07N20 SPD07N20G

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252

引脚数 - 3

额定电压(DC) 200 V -

额定电流 7.00 A -

通道数 1 -

漏源极电阻 400 mΩ -

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 40 W -

阈值电压 3 V -

输入电容 530 pF -

栅电荷 31.5 nC -

漏源极电压(Vds) 200 V -

漏源击穿电压 200 V -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A -

上升时间 40 ns -

输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)

下降时间 30 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 40 W

长度 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

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