DS1225Y-200和DS1225AB-200+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225Y-200 DS1225AB-200+ DS1225AD-200IND+

描述 NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AB-200+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-200IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 28 28

时钟频率 - 200 GHz 200 GHz

存取时间 200 ns 200 ns 200 ns

内存容量 2000 B 8000 B 8000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 5 V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.25 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.5 V

负载电容 10.0 pF - -

长度 39.12 mm 39.37 mm -

宽度 18.29 mm 18.29 mm 18.29 mm

高度 9.4 mm 10.67 mm -

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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